特許

J-GLOBAL ID：200903091804943324

プラズマCVD方法およびその装置

発明者： 松本 稔 ,  荻野 悦男 ,  角 俊雄
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074048
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275345
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】基体に均一でかつ高い成膜速度で被覆可能なアーク放電プラズマCVD方法およびその装置を提供する。【構成】真空槽内にアーク放電プラズマシート状に生成させるとともに、原料ガス及び反応ガスを真空槽内に導入して該基体上に原料ガス成分と反応ガス成分とを含む薄膜を基体上に被覆するプラズマCVD方法で、原料ガスをアーク放電プラズマと基体との空間に導入し、反応ガスをアーク放電プラズマを挟んで原料ガスの導入位置とは反対側の空間に導入するプラズマCVD方法およびその装置。

請求項（抜粋）：

減圧された雰囲気が調整可能な真空槽にプラズマビーム発生装置と陽極とを対向させて設置し、該プラズマビーム発生装置内に供給した不活性ガスと水素の少なくとも一つを含む放電用ガスにより発生させた該プラズマビーム発生装置内のプラズマを、該プラズマビーム発生装置から該陽極に向かう磁場印加手段により該プラズマビーム発生装置から引き出すことにより、該プラズマビーム発生装置と該陽極との間の該真空槽内にアーク放電プラズマを生成させるとともに、該アーク放電プラズマとほぼ平行になるように該真空槽内に基体を設置し、該真空槽内に外部から原料ガス及び反応ガスを導入して該基体上に原料ガス成分と反応ガス成分とを含む薄膜を被覆するプラズマCVD方法であって、該原料ガスを該アーク放電プラズマと該基体との空間に導入し、該反応ガスを該アーク放電プラズマを挟んで該原料ガスの導入位置とは反対側の空間に導入するプラズマCVD方法。