特許

J-GLOBAL ID：200903091810824485

半導体素子

発明者： 皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  石谷 善博 ,  大歳 創
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039445
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249797
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInN系結晶から成る半導体素子に低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトを形成する。【構成】 AlGaInN系結晶のうえにGaP層18,19などの他のIIIV族化合物半導体をエピタキシャル成長し、このうえにオーミック電極を形成する。【効果】 低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトが得られ、素子の性能と信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

AlGaInN系の多元結晶から成る二重異種接合を有する半導体素子において、その最上層にさらに窒化物以外の他のIIIV族化合物半導体層をつけた構造を有する半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43 ,  H01S 3/18