浅い接合部を有する半導体デバイスの製作

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012253
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216386
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】浅い接合部を有する半導体デバイスを提供すること。【解決手段】浅い接合部を有する半導体デバイスは、ソースおよびドレイン領域とポリシリコン・ゲート領域とを有する半導体基板を設け、ソースおよびドレイン領域上に選択的シリコンを付着し、ソースおよびドレイン領域内にドーパントを供給し、浅い接合部を形成し、ゲート領域の側壁上に第1の絶縁側壁スペーサを形成し、第1の絶縁側壁スペーサ上に第2の絶縁スペーサを形成し、ソースおよびドレイン領域の上面をケイ化することによって提供される。

請求項（抜粋）：

浅い接合部を有する半導体デバイスを製作するための方法であって、ソースおよびドレイン領域とポリシリコン・ゲート領域とを有する半導体基板を設けるステップと、前記ソースおよびドレイン領域上に選択的シリコンを付着するステップと、前記ソースおよびドレイン領域内にドーパントを供給し、浅い接合部を形成するステップと、前記ゲート領域の側壁上に第1の絶縁側壁スペーサを形成するステップと、前記第1の絶縁側壁スペーサ上に第2の絶縁スペーサを形成するステップと、前記ソースおよびドレイン領域の上面をシリサイド化するステップとを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 27/08 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 27/08 , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 U

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-097321 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-202360 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-115376

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