特許

J-GLOBAL ID：200903091816628580

基板処理装置

発明者： 寺門 伸悟 ,  寺田 智則 ,  籔田 光男 ,  辻 雅夫 ,  大谷 正美 ,  松家 毅
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ ,  大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313474
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138158
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 現像処理後の基板におけるレジスト膜の線幅均一性を向上することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】 塗布処理部SC1にてレジスト塗布処理が行われた基板には、加熱処理部HP1において露光前加熱処理が施される。その後、当該基板は搬送ロボットTR1からインターフェイスIFを介して露光装置に渡され、露光処理終了後再び搬送ロボットTR1に戻される。そして、その基板はエッジ露光処理部EE1を経由して露光後ベークプレート部PEBに搬入され、露光後加熱処理が施される。このときに、エッジ露光処理部EE1は、露光前加熱処理において基板に生じた温度勾配が線幅に与える影響と露光後加熱処理において当該基板に生じた温度勾配が線幅に与える影響とが相殺されるように、露光後ベークプレート部PEBにおける基板の向きを調整している。

請求項（抜粋）：

レジスト塗布後露光前の基板に露光前加熱処理を行う露光前ベーク部と、露光後現像前の基板に露光後加熱処理を行う露光後ベーク部と、を備えた基板処理装置であって、(a) 前記露光を行った後、前記露光後ベーク部までの基板処理順路のうちのいずれかに設けられて前記基板を回動させる基板回動手段と、(b) 前記基板回動手段を制御する回動制御手段と、を備え、前記回動制御手段は、前記露光前加熱処理において基板に生じた温度勾配が線幅に与える影響と前記露光後加熱処理において前記基板に生じた温度勾配が線幅に与える影響とが相殺されるように、前記露光前ベーク部における基板の向きと前記露光後ベーク部における前記基板の向きとのなす相対角度を前記基板回動手段に調整させることを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/30 501 ,  G03F 7/38 511

FI (4件)：

H01L 21/30 567 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/30 501 ,  G03F 7/38 511

Fターム (10件)：

2H096AA00 ,  2H096AA24 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096DA01 ,  2H096FA01 ,  2H096GB00 ,  2H096GB07 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10