特許
J-GLOBAL ID：200903091818163968
半導体薄膜の膜厚測定装置および膜厚測定方法ならびに半導体ウェハおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103468
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292128
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 フーリエ変換赤外分光法による半導体薄膜の膜厚測定に際し、空間干渉強度波形の原点におけるピークをなくすとともに各界面ピーク強度を高める。【解決手段】 半導体薄膜を有するウェハに照射された光の反射光を測定することによって得られた空間干渉強度波形をフーリエ変換して反射スペクトルを得、この反射スペクトルにおいて認識される最も低い周波数成分の中心線が反射率のゼロ点となるようにゼロ点補正を行なう。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜に光を照射し、反射光を検出するための光学系と、前記光学系により検出されたデータをフーリエ変換して反射スペクトルを得るためのフーリエ変換手段と、前記反射スペクトルにおける最も低い周波数成分と交わりかつ横軸と平行な直線上に反射率のゼロ点が位置するように前記ゼロ点の位置を補正するゼロ点補正手段と、前記ゼロ点の位置を補正した後の前記反射スペクトルを逆フーリエ変換する逆フーリエ変換手段と、を備えた、半導体薄膜の膜厚測定装置。
Fターム (11件)：
2F065AA30
, 2F065BB03
, 2F065CC19
, 2F065CC31
, 2F065EE00
, 2F065FF52
, 2F065HH03
, 2F065LL12
, 2F065LL13
, 2F065LL19
, 2F065QQ16
