特許

J-GLOBAL ID：200903091819754285

弾性表面波装置の製造方法

発明者： 大久保 幸夫 ,  佐藤 隆裕
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202991
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222981
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】IDTでの質量的な不連続が低減でき、かつ、電極指とその間の絶縁膜の厚さを任意に設定することができるIDTの形成方法を提供する。【構成】圧電性基板1上に絶縁膜2を形成し、該絶縁膜2上に電極6の形成領域に対応した開口部4を有するマスク3を形成し、該開口部4の前記絶縁膜2を除去し、前記電極6を構成する導電膜5を開口部4を含む前記マスク3上に形成し、該マスク3を除去することで前記電極6を形成する。

請求項（抜粋）：

圧電性基板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に電極の形成領域に対応した開口部を有するマスクを形成し、該開口部の前記絶縁膜を除去し、前記電極を構成する導電膜を開口部を含む前記マスク上に形成し、該マスクを除去することで前記電極を形成する工程を含むことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。