特許
J-GLOBAL ID：200903091824458910
レチクルマスク及び投影露光方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-249398
公開番号（公開出願番号）：特開平5-088349
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半導体装置の製造工程で用いるレチクルマスク及び投影露光方法に関し、分割露光法のように2枚のレチクルマスクを形成することなく、露光時にレチクルマスクの交換及び位置合わせを行わずに、従来の露光光学系の解像度の限界を超える微細パターンを形成することができるレチクルマスク及び投影露光方法を提供することを目的とする。【構成】石英基板1と、石英基板1上に形成された遮光膜3と、遮光膜3の一部を開口して形成した複数の開口部2とを備えたレチクルマスクにおいて、複数の開口部2は、所定の偏光方向を有する第1の偏光層4が形成された第1の開口部2と、第1の偏光層4の偏光方向とほぼ直角の偏光方向を有する第2の偏光層5が形成された第2の開口部2とが交互に形成されているように構成する。
請求項（抜粋）：
石英基板と、前記石英基板上に形成された遮光膜と、前記遮光膜の一部を開口して形成した複数の開口部とを備えたレチクルマスクにおいて、前記複数の開口部は、所定の偏光方向を有する第1の偏光層が形成された第1の開口部と、前記第1の偏光層の偏光方向とほぼ直角の偏光方向を有する第2の偏光層が形成された第2の開口部とが交互に形成されてなることを特徴とするレチクルマスク。
IPC (2件)：
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