特許

J-GLOBAL ID：200903091827459918

窒化物半導体素子

発明者： 齋藤 渉 ,  大村 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-374570
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180143
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】低オン抵抗、高耐圧な窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】HFETのゲート電極5とドレイン電極4との間に、電位が浮遊したフローティング電極6を設けることで、ゲート電極5端部への電界集中を抑制し、高耐圧を実現する。これにともない、n-AlGaNバリア層2への不純物ドーピング濃度を高くして、低オン抵抗化を図る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に設けられ前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に設けられた第1および第2の主電極と、 前記第2の半導体層上において、前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に設けられた制御電極と、 前記第2の半導体層上において、前記制御電極と前記第2の主電極との間に、電位が浮遊している少なくとも1以上のフローティング電極と、 を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/41

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/44 Y

Fターム (23件)：

4M104AA04 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS08 ,  5F102GV05