特許

J-GLOBAL ID：200903091828034392

反射防止膜およびレジストパターンの形成方法

発明者： 根本 宏明 ,  田辺 隆喜 ,  勇元 喜次 ,  三浦 孝夫
出願人/特許権者： 日本合成ゴム株式会社
代理人 (1件)： 福沢 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-199902
公開番号（公開出願番号）：特開平6-110199
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 定在波効果を十分低減することができるとともに、インターミキシングを生じることがなく、しかも、水および現像液に対する溶解性も良好な新規反射防止膜、並びに解像度、現像性、パターン形状等に優れたレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】 反射防止膜は、不飽和カルボン酸単量体および/または不飽和スルホン酸単量体とフルオロアルキル(メタ)アクリレートとの共重合体(塩)を含有する。レジストパターンは、基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜上に前記反射防止膜を形成したのち、放射線を照射し、現像することによって形成される。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表される少なくとも1種の繰返し単位および/または下記式(2)で表される少なくとも1種の繰返し単位と下記式(3)で表される少なくとも1種の繰返し単位とを有する共重合体あるいはその塩を含有することを特徴とする反射防止膜。【化1】【化2】〔式(1)および(2)において、R1〜R4は相互に同一でも異なってもよく、水素原子または有機基を示し。Aはカルボキシル基またはスルホ基を示す。〕【化3】〔式(3)において、R5は水素原子または有機基を示し、Rfはフルオロアルキル基を示し、Bはアルキレン基またはフルオロアルキレン基を示す。〕

IPC (4件)：

G03F 1/14 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027