特許
J-GLOBAL ID：200903091833843614
排ガス処理方法および処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
佐野 章吾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-176536
公開番号（公開出願番号）：特開平11-005012
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造工程等から排出される排ガスを処理して、その中に含まれる有害・汚染物質を分解除去する排ガス処理技術を提供する。【解決手段】 プラズマ電極20,21間の真空雰囲気A内において、半導体製造工程等から排出された排ガスに反応促進ガスを混合させながら、プラズマを発生させることにより、排ガス中の構成物質が反応促進ガスと共に励起活性化されて反応し、プラズマ電極20,21の電極表面に、プラズマ反応生成物として堆積固化され、これにより、排ガス中の有害・汚染物質が分解除去される。
請求項（抜粋）：
真空雰囲気内において、半導体製造工程等から排出された排ガスに反応促進ガスを混合させながら、プラズマを発生させることにより、排ガス中の構成物質をプラズマ反応生成物として堆積固化させるようにしたことを特徴とする排ガス処理方法。
IPC (5件)：
B01D 53/32
, B01D 53/34
, B01D 53/46
, B01D 53/68
, B01J 19/08
B01D 53/32
, B01J 19/08 E
, B01D 53/34 Z
, B01D 53/34 120 A
, B01D 53/34 134 C
