特許
J-GLOBAL ID：200903091834912911
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-157130
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006865
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 TiN系のバリアメタルにおいて、徒らにバリアメタルの抵抗率を増加させることなく、バリア効果を高めることを目的とする。【構成】 半導体基板(1)上の層間絶縁膜(3)にコンタクトホールを設け、全面にスパッタ法又はCVD法によりチタンナイトライドTiN膜(5)を形成し、励起酸素原子O*と反応させてその表面に10Å〜20Åという極薄のチタンオキシナイトライドTiON膜(6)を形成し、その後アルミニウム又はアルミニウム合金(例えばAl-Si-Cu)からなる電極をスパッタ法等により形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の層間絶縁膜にコンタクトホールを設け、全面にスパッタ法又はCVD法によりチタンナイトライドTiN膜を形成する工程と、励起酸素原子と反応させてその表面にチタンオキシナイトライドTiON膜を形成する工程と、前記コンタクトホールを含む前記基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/90
