特許
J-GLOBAL ID：200903091837863156
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323930
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135570
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 低電圧動作が可能であり、しかも結晶性のよい強誘電体膜を有する不揮発性半導体記憶装置(MFSFET素子)を実現する。【構成】 電界効果トランジスタTrのチャネル領域上に強誘電体キャパシタFCを備え、前記キャパシタの強誘電体膜16の自発分極を利用して情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置であって、PZT等からなる強誘電体膜16と、GaAs基板11のチャネル領域(N- 拡散層14)との間に、キャパシタFCの下部電極およびトランジスタTrのゲート電極とを兼ねる導電体膜15を介在させる。この導電体膜15としては、PZT等との整合性がよいPt等が用いられる。強誘電体キャパシタFCに印加された電圧の殆ど全ては、強誘電体膜16に作用するので、低電圧動作が可能になる。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタのチャネル領域上に強誘電体キャパシタを備え、前記キャパシタの強誘電体膜の自発分極を利用して情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、前記キャパシタの強誘電体膜と、半導体基板または基板上に形成された半導体層との間に、前記キャパシタの下部電極および前記電界効果トランジスタのゲート電極とを兼ねる金属原子を含む導電体膜を介在させたこと、を特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/22
, G11C 16/02
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 307 E
, H01L 29/78 371
