特許

J-GLOBAL ID：200903091838388753

現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法

発明者： 藤野 敦子 ,  熊田 輝彦 ,  押田 敦史 ,  丹下 耕志 ,  福間 準
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-045567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-318472
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 レジストの良好なパターン形状を得るための現像方法、パターン形成方法(とくにゴースト法を用いたパターン形成方法)、フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 α-メチルスチレン系化合物とα-クロロアクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジストを現像する際、炭素数3〜8のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素数3〜8のカルボン酸エステルおよび炭素数3〜8のジカルボン酸エステルからなる群から選択された1種類の有機溶剤のみからなる現像液を用いる。

請求項（抜粋）：

α-メチルスチレン系化合物とα-クロロアクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジストの現像に、炭素数3〜8のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素数3〜8のカルボン酸エステルおよび炭素数3〜8のジカルボン酸エステルからなる群から選択された1種類の有機溶剤のみからなる現像液を用いることを特徴とする現像方法。

IPC (5件)：

G03F 7/32 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/32 ,  G03F 1/08 L ,  G03F 1/08 J ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 569 E

Fターム (19件)：

2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB08 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BF09 ,  2H025BF14 ,  2H025FA16 ,  2H095BC01 ,  2H095BC08 ,  2H096AA24 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA06 ,  2H096GA03 ,  5F046LA12 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19