特許

J-GLOBAL ID：200903091840816240

半導体発光素子

発明者： 中津 弘志 ,  中村 淳一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-149842
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018098
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 発光効率の向上および短波長化を可能とする。【構成】 n型Al0.7Ga0.3P第1クラッド層12上に、選択的に等電子準位を形成するように窒素がドープされたAl0.1Ga0.9P発光層とAl0.7Ga0.3P障壁層を50ペア積層してスタガード型(タイプII)接合の超格子構造の活性層13を設け、さらに、その上に、伝導帯の電子を閉じ込めるためにp型Al0.1Ga0.9P第2クラッド層14を設けている。この活性層13は、発光層としての井戸層の等電子準位に対して障壁層の量子準位を共鳴させるように、井戸層および障壁層の組成と障壁層の膜厚とを制御して発光層および障壁層を形成する。これにより、伝導帯においては注入されたキャリアが障壁層の量子準位に蓄積され、この量子準位が井戸層の等電子準位に共鳴することによって、障壁層に注入されたキャリアは井戸層の等電子準位で遷移して効率よく発光する。

請求項（抜粋）：

スタガード型(タイプII)接合の量子井戸層および障壁層の半導体超格子構造を有する半導体発光素子において、該障壁層の量子準位を該量子井戸層の局在準位に共鳴させて、該障壁層の量子準位にある電子または正孔の波動関数が該量子井戸層の局在準位にある電子または正孔の波動関数と重なりを持つように、組成と膜厚のうち少なくとも該障壁層の膜厚を制御して該量子井戸層と障壁層を形成した半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18