特許

J-GLOBAL ID：200903091850798290

炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子

発明者： 北畠 真 ,  内田 正雄 ,  高橋 邦方
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241899
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162850
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素成長表面での炭素と珪素の存在比を制御することにより、結晶性のよい炭化珪素基板を低温で再現性良く形成する。【解決手段】 基板1の炭化珪素結晶成長表面1aにおいて、珪素原子2が炭素原子に対し過剰となるように保ちながら、炭化珪素薄膜をMBE法等によりエピタキシャル成長させる。この成長は1300°C以下の低温でも可能であり、高濃度ドーピング膜・選択成長膜・六方晶上の立方晶炭化珪素の成長膜の形成が可能となる。また、六方晶上に立方晶炭化珪素を結晶化させる場合には、さらに、(数1)方向に傾いたオフカット基板を用いることが、ツウィンの発生を防止するために有効である。

請求項（抜粋）：

珪素原子と炭素原子とを炭化珪素基板の表面に供給して炭化珪素結晶を成長させる炭化珪素基板の製造方法であって、上記炭化珪素結晶の成長開始前における上記炭化珪素基板の表面が、六方晶炭化珪素結晶の{0001}面、および立方晶炭化珪素結晶の{111}面から選ばれる何れかの面から0.05°以上、かつ10°以下傾いたオフカット面であるとともに、上記炭化珪素基板の表面において、珪素原子が、炭素原子に対して過剰になるように、上記珪素原子および上記炭素原子の供給量が制御されることを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。

IPC (13件)：

H01L 21/203 ,  C30B 25/04 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/14 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/18 ,  C30B 25/20 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (11件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 25/04 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/14 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/18 ,  C30B 25/20 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/80 H