特許

J-GLOBAL ID：200903091850813338

半導体歪変換器

発明者： 八木 雄二
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-361143
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204501
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体歪変換器を提供する。【構成】 シリコン単結晶基板の一部にゲージ部10を形成し、p-n接合によって該ゲージ部10を電気的に絶縁した半導体歪変換器において、シリコン単結晶基板上に該シリコン単結晶基板と一体となった突起部9を形成し、該突起部9の先端部をゲージ部10とし、且つ該突起部9の高さhと該突起部9の幅wとの比h/wを0.5以上とした。【効果】 シリコン単結晶基板上に一個の拡散型歪ゲージを形成するのみで、シリコン単結晶基板に作用する応力の方向を特定することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板の一部にゲージ部を形成し、p-n接合によって該ゲージ部を電気的に絶縁した半導体歪変換器において、シリコン単結晶基板上に該シリコン単結晶基板と一体となった突起部を形成し、該突起部の先端部をゲージ部とし、且つ該突起部の高さhと該突起部の幅wとの比h/wを0.5以上としたことを特徴とする半導体歪変換器。