特許
J-GLOBAL ID：200903091852984431
貼り合わせ基材とその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133911
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329997
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 Siウエハが、FPD、COP、OSF等の特有の欠陥を含まないようにする。【解決手段】 第1の基体11の表面層12を別の第2の基体の表面上に移設して形成された貼り合わせ基材において、第1の基体11として少なくともフローティング・ゾーン法により作製されたSi基体を含んで構成された基体を用意し、第1の基体11と第2の基体15とを貼り合わせる工程と、貼り合わせた基体を、該基体の第1の基体のSi基体に前もって形成しておいたイオン注入層14で分離する工程と、第2の基体側の表面に露出したイオン注入層14を除去する工程と、を有する作製工程により形成されてなる。
請求項（抜粋）：
第1の基体の表面層を別の第2の基体の表面上に移設して形成された貼り合わせ基材において、前記第1の基体として少なくともフローティング・ゾーン法により作製されたSi基体を含んで構成された基体を用意し、前記第1の基体と前記第2の基体とを貼り合わせる工程と、貼り合わせた基体を、該基体の前記第1の基体のSi基体に前もって形成しておいたイオン注入層で分離する工程と、前記第2の基体側の表面に露出した前記イオン注入層を除去する工程と、を有する作製工程により形成されてなることを特徴とする貼り合わせ基材。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 27/12 B
