特許
J-GLOBAL ID：200903091854474970
金属膜形成方法及び該方法により得られる金属膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-225247
公開番号（公開出願番号）：特開2008-095182
出願日： 2007年08月31日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】大気圧で熱処理した場合に比べて、電気抵抗を大幅に低減した金属膜を得る。【解決手段】金属コロイド粒子が金属粒子と粒子表面に配位修飾した保護剤とにより構成され、保護剤が分子中に窒素又は酸素のいずれか一方又はその双方を含む炭素骨格を有し、かつ窒素、酸素、窒素を含む原子団及び酸素を含む原子団からなる群より選ばれた1種又は2種以上をアンカーとして金属粒子表面に配位修飾した構造を有し、保護剤がハイドロキシアルキル基を分子構造に含み、金属コロイド粒子を水系又は非水系のいずれか一方の分散媒又はその双方を混合した分散媒に所定の割合で混合して分散させた金属コロイドを基材表面に塗布する工程と、塗布した金属コロイド中の分散媒を自然乾燥により除去する工程と、基材を1.0×103Pa以下の真空雰囲気下、200°C以下で熱処理することにより、基材表面に金属膜を形成する工程とを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
金属コロイド粒子が金属粒子と前記粒子表面に配位修飾した保護剤とにより構成され、前記保護剤が分子中に窒素又は酸素のいずれか一方又はその双方を含む炭素骨格を有し、かつ前記窒素、酸素、窒素を含む原子団及び酸素を含む原子団からなる群より選ばれた1種又は2種以上をアンカーとして金属粒子表面に配位修飾した構造を有し、
前記保護剤がハイドロキシアルキル基を分子構造に含み、
前記金属コロイド粒子を水系又は非水系のいずれか一方の分散媒又はその双方を混合した分散媒に所定の割合で混合して分散させた金属コロイドを基材表面に塗布する工程と、
前記塗布した金属コロイド中の分散媒を自然乾燥により除去する工程と、
前記基材を1.0×103Pa以下の真空雰囲気下、200°C以下で熱処理することにより、前記基材表面に金属膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする金属膜形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (23件)：
4K022AA02
, 4K022AA03
, 4K022AA04
, 4K022AA12
, 4K022AA13
, 4K022BA01
, 4K022BA03
, 4K022BA08
, 4K022BA10
, 4K022BA14
, 4K022BA18
, 4K022BA25
, 4K022BA31
, 4K022BA32
, 4K022CA19
, 4K022CA20
, 4K022CA21
, 4K022CA24
, 4K022DA09
, 4K022DB01
, 4K022DB18
, 4K022DB19
, 4K022DB24
出願人引用 (1件)
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国際公開第2006/001310号パンフレット(第97〜100頁段落[0223]〜[0226]、請求の範囲[27]、[69])
審査官引用 (2件)
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