低温焼結基板組成物

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小柴雅昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338567
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171640
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】低誘電率でかつ高いQを有し、高周波回路の電気絶縁材料として十分に使用し得る低温焼結基板組成物を提供すること。【解決手段】低温焼結基板組成物を、3〜80重量%の結晶質SiO2 と、20〜97重量%のガラスとから構成し、このガラスに、SiO2 と、B2 O3 および/またはK2 Oとを含有させることによって、たとえば、3GHzの高周波数で、比誘電率εr が5.8以下であり、かつQが300以上の低温焼結基板を得ることができる。

請求項（抜粋）：

3〜80重量%の結晶質SiO2 と、20〜97重量%のガラスからなり、前記ガラスは、SiO2 と、B2 O3 および/またはK2 Oとを含有していることを特徴とする、低温焼結基板組成物。

IPC (4件)：

C04B 35/16 , C04B 35/14 , H01B 3/08 , H01B 3/12 336

FI (4件)：

C04B 35/16 Z , H01B 3/08 A , H01B 3/12 336 , C04B 35/14

引用特許：

審査官引用 (12件)

ガラスセラミック基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-176623 出願人：京セラ株式会社
多層ガラスセラミック基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-163786 出願人：日本電気株式会社
セラミック基板組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-356389 出願人：ティーディーケイ株式会社

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