特許

J-GLOBAL ID：200903091858145687

X線露光法

発明者： 小川 太郎 ,  持地 広造 ,  武田 英次 ,  老泉 博昭 ,  曽我 隆 ,  田中 稔彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社ソルテック
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130467
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326376
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】X線露光法において、ウェハ上に付着したパ-ティクルがマスクに接触しマスクのX線透過支持膜が破損されたり、あるいはパ-ティクルからの発塵がウェハを汚染するといった問題点があった。本発明の目的はマスクの破壊を防止し、間隙の狭化により解像性を向上させると共に、信頼性の高いX線露光方法を提供することにある。【構成】 本発明はX線露光装置にパ-ティクルの高さ検出装置を具備し、かつ検出したパ-ティクルの位置情報をウェハステ-ジ送り制御系にフィ-ドバックする機構を備え、ステップ・アンド・リピ-トの露光前にパ-ティクルの検出ならびにマスクとの接触の回避動作を行なうことを特徴とする。【効果】 本発明によってウェハ上に付着したパ-ティクルの接触によるマスクの破損を阻止し、信頼性ならびにマスクとウェハの間隙の狭化による解像性の向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

所望のパタ-ンが形成されたマスクをウェハに近接させ、X線による露光をステップ・アンド・リピ-トで行うX線露光法において、(1)露光前にウェハ上のパ-ティクル検査を行い、所定以上の高さを有するパ-ティクルの位置を特定する工程と、(2)マスク部材のパ-ティクル接触による破壊を防ぐために、該パ-ティクルのあるチップでは、マスクとウェハの間隙を接触によるマスク部材の破壊から許容される高さよりも大きくとり、露光ないしはステップ送りを行なう工程を含むことを特徴とするX線露光法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-072118
  
• 特開昭63-122121