特許

J-GLOBAL ID：200903091860291453

半導体基板およびその製造方法

発明者： 大久保 安教
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-006010
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196566
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜によりSOI層を分離しても汎用的に用いることが可能なSOI基板、および、SOI層の薄膜化が可能で、製造コストとSOI層膜厚のばらつきを抑制することができるSOI基板の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップの回路パターンを形成するための半導体基板であって、基体30に形成された絶縁膜20上に半導体層10cを有する半導体基板において、半導体層10cが、半導体チップの回路パターンを形成する領域C毎に絶縁膜20により分離されている構造とする。半導体からなる第1基板に溝を形成し、溝内および第1基板の上層に第1絶縁膜を形成し、水素イオンを注入して剥離層を形成し、第2基板を張り合わせ、熱処理により半導体層を残して第1基板を剥離し、溝の底部において突出した第1絶縁膜の表面をストッパとして半導体層を化学的機械研磨処理工程などにより研磨して製造する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの回路パターンを形成するための半導体基板であって、基体と、前記基体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体層とを有し、前記半導体層が、前記半導体チップの回路パターンを形成する領域毎に、前記絶縁膜により分離されている半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/762

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/76 D

Fターム (10件)：

5F032AA06 ,  5F032BA05 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78