特許

J-GLOBAL ID：200903091860459931

半導体素子の製造方法

発明者： 山本 裕記
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050766
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252238
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ウエハをブレイク刃により分割しても、歪みのない半導体素子を形成する。【解決手段】ウエハ10表面にその表面突出しないように電極40を形成し、続いて、ウエハ10表面上にスクライブポイントを摺動することにより形成された為、ウエハ10表面上を連続するように形成される。その後、スクライブ線60上方から前記ウエハ10へ向ってブレイク刃を押し当て、前記ウエハ10を個々の半導体素子に分割する。その結果、スクライブ線が連続して形成されている為、ウエハ10表面に亀裂が生じることがなく、ウエハ10表面のスクライブ線60の延長線に沿ってウエハ10を分割することができる。この為、歪みのない略四角形状の均一形状の半導体素子を製造することができる。

請求項（抜粋）：

ウエハ表面に形成された凹部に電極を埋め込む工程と、前記ウエハ表面にスクライブ線を形成する工程と、前記スクライブ線に沿って前記ウエハを切断する工程とを有する半導体素子の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 S