特許

J-GLOBAL ID：200903091865454989

酸化インジウム薄膜及びその製造方法

発明者： 折田 政寛 ,  太田 裕道
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286410
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 緻密であり、結晶性が高く、高移動度を安定的に発現する酸化インジウム薄膜及びその製造方法を提供する。また、緻密であり、結晶性が高く、高抵抗率を安定的に発現する酸化インジウム薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 高移動度酸化インジウム薄膜と、高抵抗酸化インジウム薄膜とを、パルスレーザー蒸着法における酸素分圧を制御することによって作り分ける。具体的には、酸素分圧を0〜1Paの範囲として高移動度酸化インジウム薄膜を作製し、酸素分圧を1Pa〜100Paの範囲として高抵抗酸化インジウム薄膜を作製する。

請求項（抜粋）：

X線回折法のロッキング・カーブ半値幅が0.3°以下と高い結晶性(高配向性)を有し、膜表面の自乗平均平方根粗さ(Rms)が10nm以下であり、かつ、移動度70cm2/Vs以上を有することを特徴とする高移動度酸化インジウム薄膜。

IPC (4件)：

H01L 29/12 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

H01L 29/14 ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 S

Fターム (19件)：

4K029BA45 ,  4K029BB00 ,  4K029BB07 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL07 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05 ,  5F103RR05