特許
J-GLOBAL ID：200903091865994967
磁性薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350742
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189322
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【解決すべき課題】本発明の課題は、高飽和磁束密度と高比抵抗を同時に実現し、渦電流、強磁性共鳴による損失を低減し、高周波においても高透磁率を示す磁性薄膜を提供することにある。【解決の手段】本発明においては、平均粒径が20nm以下の強磁性金属微粒子相と高比抵抗強磁性絶縁相がグラニュラー構造で存在し、例えば500MHz以上の高周波においても300以上の高い透磁率を示すとともに、1.3T以上の高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜が提供される。特に、強磁性金属相が鉄およびコバルトのいずれか1種以上を主要構成元素としており、かつ強磁性絶縁相が鉄および酸素を主要構成元素とする酸化物であって、前記強磁性金属と実質的に固溶体を形成せず、強磁性金属よりも酸化しにくい非磁性金属元素(例えばAu,Ag,Cuの1種類以上)を20原子%以下の割合で含有することで前記の軟磁性薄膜が提供される。
請求項（抜粋）：
強磁性金属相と比抵抗が1000μΩcm以上の強磁性絶縁相が存在し、該強磁性金属相を構成する金属粒子の平均粒径が20nm以下であることを特徴とする磁性薄膜。
IPC (3件)：
H01F 1/20
, C23C 14/14
, H01F 10/12
H01F 1/20
, C23C 14/14 F
, H01F 10/12
