特許
J-GLOBAL ID：200903091868284626
バンプ電極形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270083
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122560
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 ボールボンディングにより半導体ウェーハの素子上にバンプ電極を形成する装置において、ボールの金属細線残り部を平坦化する機構を一体的に設ける。【構成】 XY動及び上下動するキャピラリ6のワイヤ挿通孔に金属細線Wを挿通してキャピラリ下端面から突出した金属細線先端部を溶融してボールWaを形成し、ボールWaをキャピラリ下端面で半導体素子の電極形成予定部位上にボンディングして金属細線WをボールWaから切断し、半導体素子1上にボールWaによるバンプ電極Wbを形成するバンプボンダと、半導体ウェーハ12内に形成された半導体素子1領域の単位でバンプボンダ位置より所定領域側方に配置されて上下動し、ボールWa上に残留した金属細線残り部分Weを含むバンプ電極Wb上を押圧して平坦化するバンプ電極整形部20とを具備する。
請求項（抜粋）：
XY動及び上下動するキャピラリの下端から導出した金属細線先端部を溶融して形成したボールをキャピラリ下端面で半導体ウェーハ内の半導体素子領域の電極形成予定部にボンディングし金属細線をボールから切断し半導体素子上にバンプ電極を順次形成するバンプボンダと、バンプボンダ位置より所定領域側方に配置されて上下動し金属細線残り部分を含むバンプ電極上を順次押圧して平坦化するバンプ電極整形部とを具備したことを特徴とするバンプ電極形成装置。
引用特許：
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