特許

J-GLOBAL ID：200903091870850973

プラズマ侵入型イオン注入を使用するクラスタツール方法及び装置

発明者： ヘンリー フランソワ ジェイ ,  チェウン ネイサン
出願人/特許権者： シリコン ジェネシス コーポレイション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-504917
公開番号（公開出願番号）：特表2001-511608
出願日： 1998年07月28日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】プラズマ侵入型イオン注入チャンバ(12)を使用するクラスタツール(10)。若干の実施の形態においては、クラスタツールは制御されたへき開プロセスチャンバ(22)を更に含む。

請求項（抜粋）：

絶縁体上のシリコン基板のためのクラスタツールプロセスであって、上記プロセスは、 ドナー基板を準備するステップと、 上記ドナー基板を第1のチャンバ内に配置し、上記ドナー基板の表面を通して上記表面の下の選択された深さまで粒子を導入するステップと、を含み、 上記選択された深さにおける上記粒子の濃度が、上記選択された深さより上の除去される基板材料を限定するようになっており、 上記プロセスは、更に、 上記ドナー基板を第2のチャンバ内に配置し、上記ドナー基板の上記表面がターゲット基板の面と対面して多層にされた基板が形成されるように、上記ドナー基板を上記ターゲット基板に接合するステップと、 上記多層にされた基板を第3のチャンバ内に配置し、上記基板の選択された領域にエネルギを供給して上記基板の上記選択された深さにおいて制御されたへき(劈)開動作を開始させ、次いで、伝播へき開前端を使用して上記へき開動作を行って上記基板材料の一部分を自由にして上記基板から除去するステップと、を含んでいることを特徴とするプロセス。

IPC (7件)：

H01L 21/265 ,  B81C 1/00 ,  C23C 14/48 ,  C23C 16/00 ,  G21G 5/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (8件)：

B81C 1/00 ,  C23C 14/48 Z ,  C23C 16/00 ,  G21G 5/00 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 F