特許

J-GLOBAL ID：200903091871403806

ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム錯 体の製造方法およびそれを用いたルテニウム含有薄膜 の製造方法

発明者： 門倉 秀公
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225493
公開番号（公開出願番号）：特開平11-035589
出願日： 1997年07月17日
公開日（公表日）： 1999年02月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の電極用薄膜として、Ru、RuO2膜をCVD法でつくるための室温で液体のRu化合物とその製造方法を提供することである。【解決手段】 ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムまたはビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)ルテニウムは、室温で液体であり、100°C付近で充分な蒸気圧を有しているので、CVD原料として、ガスバブリングないし液体マスフローコントローラーにより定量的に供給でき、水素雰囲気中、600°Cの基板上で熱分解し、純Ru薄膜を形成することができた。該化合物は、三塩化ルテニウム水和物とエチルシクロペンタジエンまたはイソプロピルシクロペンタジエンをアルコール溶媒中で亜鉛粉と-30〜0°Cの範囲で反応させて高収率で製造できた。

請求項（抜粋）：

三塩化ルテニウム水和物とエチルシクロペンタジエンまたはイソプロピルシクロペンタジエンをアルコール溶媒中で亜鉛粉と反応させるビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム錯体の製造方法。

IPC (3件)：

C07F 15/00 ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/18

FI (3件)：

C07F 15/00 A ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/18