特許
J-GLOBAL ID：200903091872891170
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292842
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131123
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】〔目的〕 集積密度が高く、光学的特性も良好な光集積回路形式の半導体レーザ装置を提供する。〔構成〕 半導体基板(11)上に形成されたレーザ素子(10)と、この半導体レーザ素子(10)の光出射面(11c) に光入射面を密着させた状態でかつこの半導体レーザ素子(10)の素材とは屈折率の異なる素材によって半導体基板(11)上に形成されたプリズム(12)などの光学要素を備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の光出射面に光入射面を密着させた状態でかつこの半導体レーザ素子の素材とは屈折率の異なる素材によって前記半導体基板上に形成された光学要素とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G01C 19/66
, H01L 27/15
