特許
J-GLOBAL ID：200903091875300602
荷電粒子ビーム描画方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177751
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037777
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 遮光パターンの描画の際もシフターパターンの描画の際にも正確に高さ測定を行って精密な描画を行うことができる荷電粒子ビーム描画方法を実現する。【構成】 制御コンピュータ12はメモリ15からシフターパターンデータを読みだしそのデータに応じてステージ制御回路9、ブランキング制御回路6、偏向器制御回路7を制御する。この結果、ステージ8は適宜移動され、各ステージの停止位置においてデータに応じて偏向器5に偏向信号が供給され、電子ビームは偏向される。ステージ8の移動と電子ビームの偏向とブランキングにより、被描画材料3にはシフターパターンが描画される。このシフターパターンの描画に際しては、被描画材料の高さの測定が行われる。この高さ測定は、最初の遮光パターンの描画の際の高さ測定が光源13と高さ検出器14による光学式を用いて行ったのに対して、マークMを用いた高さ測定が行われる。
請求項（抜粋）：
透明な基板上に遮光材料を設け、この遮光材料上にレジストを塗布した上で荷電粒子ビームによる遮光パターンの描画を行う第1の描画ステップと、第1の描画ステップ後のエッチング処理などによって前記パターンに応じた遮光材料が表面に形成された透明基板上に、シフター材料を設け、このシフター材料上にレジストを塗布した上で荷電粒子ビームによるシフターパターンの描画を行う第2の描画ステップよりなる荷電粒子ビーム描画方法において、第1の描画ステップの際に光学的な高さ測定を行った上で荷電粒子ビームの偏向幅を設定し、更に、遮光パターン以外にマークを形成するための描画を行い、第2の描画ステップの際には、第1の描画ステップにおけるマークの描画に基づいて形成されたマークの位置を荷電粒子ビームによって検出し、描画材料の高さ測定を行い荷電粒子ビームの偏向幅を設定するようにした荷電粒子ビーム描画方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/30 541 D
, H01L 21/30 502 C
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
