特許
J-GLOBAL ID：200903091879837589
レチクル・マスクの欠陥修正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-116580
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313354
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造工程において使用されるレチクル・マスクの欠陥修正方法に関し、修正部分の透過率が低下しないように高い精度をもってレチクル・マスクの欠陥部を修正する方法を提供することを目的とする。【構成】 レチクル・マスクの遮光膜よりなるパターン1に接して形成された残留遮光膜欠陥2のパターン1に接する領域3に収束イオンビームを照射してこの領域3の残留遮光膜欠陥2を除去し、次いで、残余の島状の残留遮光膜欠陥4にレーザを照射して除去するようにする。
請求項（抜粋）：
レチクル・マスクの遮光膜よりなるパターン(1)に接して形成された残留遮光膜欠陥(2)の前記パターン(1)に接する領域(3)に収束イオンビームを照射して該接する領域(3)の前記残留遮光膜欠陥(2)を除去し、残余の島状の残留遮光膜欠陥(4)にレーザを照射して除去することを特徴とするレチクル・マスクの欠陥修正方法。
IPC (2件)：
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