特許

J-GLOBAL ID：200903091880041038

パターン化処理方法

発明者： 川瀬 健夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-572654
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530292
出願日： 2002年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】この発明は、溶液中の第一物質を基板に塗布して、基板をパターン化処理する方法を提供する。【解決手段】第一物質の溶液の成分は、基板上に第一物質の残渣を残し、この残渣が中心の薄い膜と周囲の隆起部からなるように選択されている。残渣をエッチングして薄い膜を除去して基板上に隆起部を残す。エッチングした後には、隆起部は疎水性となり、基板は親水性となる。次いで、第二物質の水溶液を隆起部の両側に塗布する。この水溶液が乾いた後、隆起部を除去して、第二物質の層を基板上に残し、この層には貫通する狭い隙間がある。この層を有機薄膜トランジスタのソースとドレインの電極に使用する。

請求項（抜粋）：

板上に溶液中の第一物質を塗布し、その場合、基板上で乾燥した第一物質の形状が隆起部を含むようにこの第一物質の溶液が選択されていて、 第一物質の隆起部が基板上に残るように、第一物質の一部を除去するためエッチングを施し、そして 第一物質の隆起部の上またはその隆起部に隣接して溶液中の第二物質を塗布する、 からなることを特徴とする基板をパターン化処理する方法。

IPC (5件)：

H01L29/786 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14

FI (10件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/288 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/28

Fターム (30件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104DD03 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104GG08 ,  4M104HH14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE42 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06