半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：白井重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286438
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107089
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：

【要約】【課題】環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨(CMP)後に、半導体基板などの半導体部品上に残った不純物に対して洗浄効果の高い洗浄剤、および、半導体基板などの半導体部品、記録媒体部品および光学用部品などの表面を研磨するために使用される研磨用組成物を提供すること。【解決手段】スルホン酸(塩)基、カルボン酸(塩)基、ホスホン酸(塩)基、水酸基、エチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する官能基、および窒素原子を含有する官能基の群から選ばれた少なくとも1種の官能基を有する水溶性(共)重合体(塩)、ならびにホスホン酸化合物を主成分とする半導体部品用洗浄剤、ならびに、上記半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤を含有する研磨用組成物。

請求項（抜粋）：

(a)カルボン酸(塩)基、スルホン酸(塩)基、ホスホン酸(塩)基、水酸基、エチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する官能基、および窒素原子を含有する官能基の群から選ばれた少なくとも1種の官能基を有する水溶性(共)重合体(塩)、ならびに、(b)ホスホン酸化合物を主成分とする半導体部品用洗浄剤。

IPC (9件)：

C11D 7/26 , C09K 3/14 550 , C11D 7/32 , C11D 7/34 , C11D 7/36 , C11D 7/60 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/304 647

FI (9件)：

C11D 7/26 , C09K 3/14 550 C , C11D 7/32 , C11D 7/34 , C11D 7/36 , C11D 7/60 , H01L 21/304 622 Q , H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 647 A

Fターム (10件)：

4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003DA16 , 4H003DB01 , 4H003EB24 , 4H003EB28 , 4H003EB30 , 4H003ED02 , 4H003FA03 , 4H003FA05

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