画像表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-178537
公開番号（公開出願番号）：特開平9-033945
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】この発明は、MOSトランジスタ部でのリーク電流が抑制できるように遮光構造が形成された画像表示装置を提供することにある。【解決手段】半導体基板31の一主面に対応してソース領域38、ドレイン領域39が形成され、ゲート酸化膜を介してゲート電極35が形成され、ゲート引き回し配線(走査線)36と補助容量用電極37を形成して層間絶縁膜40で覆う。その上に、ソース配線41、ドレイン電極を兼ねる配線42を形成し、その表面に光吸収係数の大きな導電性材料による膜43を形成し、さらに光吸収係数の大きな導電性材料による膜45を介して反射電極46を形成して、反射電極側の基板が完成される。この基板の表面上に液晶49の層を介してガラスに接合した透明電極47が対設設定されるもので、反射電極46の隣接する部分との間隙部を覆うように前記配線36、41が形成され、半導体基板面に至る光を遮蔽する。

請求項（抜粋）：

一主面上に多数のMOSトランジスタをマトリクッス状に配列形成した半導体基板と、この半導体基板の前記一主面上の前記配列されたMOSトランジスタを覆うように形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に前記多数のMOSトランジスタそれぞれの領域に対応して形成され、それぞれ対応するMOSトランジスタに接続されて、このMOSトランジスタそれぞれと反対側の面に反射面が設定されるようにした反射電極と、これらの反射電極それぞれの相互間に形成される間隙部に対応して、この間隙部より幅が広くされるようにして形成された前記MOSトランジスタに接続される走査線もしくは信号線を構成する配線部と、前記半導体基板の前記一主面に小間隙を介して対向設定された透明電極を形成した対向基板と、この対向基板と前記反射電極との間の前記小間隙部に設定された液晶とを具備し、前記反射電極相互間の間隙部を介して前記MOSトランジスタに至る対向基板面からの入射光が、前記配線部によって遮蔽されるようにしたことを特徴とする画像表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1335 500

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1335 500

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