特許

J-GLOBAL ID：200903091893102087

半導体装置

発明者： 黒 勇旗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-179766
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016738
出願日： 2007年07月09日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】半導体素子を樹脂封止して半導体装置を構成するにあたって、金属ワイヤの樹脂流によるワイヤ流れを抑制する。【解決手段】半導体装置1は複数の接続パッド5を有する配線基板2上に搭載された半導体素子6を具備する。半導体素子6は少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッド7を有する。複数の接続パッド5と複数の電極パッド7とはそれぞれ金属ワイヤ8で電気的に接続されており、これら金属ワイヤ8は半導体素子6の外形辺に沿って配列されて金属ワイヤ群9を構成している。金属ワイヤ群9の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤ8の外側には絶縁性遮蔽物11が配置されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

素子搭載部と複数の接続パッドとを有する配線基板と、 前記配線基板の素子搭載部に搭載され、少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッドを有する半導体素子と、 前記配線基板の接続パッドと前記半導体素子の電極パッドとを電気的に接続するように配列された複数の金属ワイヤを有する金属ワイヤ群と、 前記金属ワイヤの側面の少なくとも一部を遮蔽するように、前記金属ワイヤ群の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤの外側に配置された絶縁性遮蔽物と、 前記半導体素子を前記金属ワイヤ群と共に封止する樹脂封止部と を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L23/12 501W ,  H01L23/12 W ,  H01L23/28 C

Fターム (3件)：

4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DB06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-250338号公報
  
• 特開平2-237043号公報