特許

J-GLOBAL ID：200903091898492584

電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器

発明者： 川田 浩孝
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-005545
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217417
出願日： 2001年01月12日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 絶縁体層上の半導体層に形成された電気光学装置用基板において、熱酸化時にOSFの導入を防ぎ、信頼性の高い電気光学装置を提供する。【解決手段】 支持基板に形成された絶縁体層に、{100}面より±1.0度を超えた傾きを持つ結晶面の単結晶半導体層を貼り合わせる。例えば{111}面や{511}面等はOSFが{100}面より導入され難いため信頼性の高い電気光学装置用基板を得ることができる。

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板上に形成された絶縁体層と、該絶縁体層上に形成された単結晶半導体層とにより構成された基板であって、上記単結晶半導体層の表面は{100}面より±1.0度を超えた傾きを持つ結晶面であることを特徴とする電気光学装置用基板。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 348 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 348 A ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 A ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 627 D

Fターム (38件)：

2H092JA23 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092KA03 ,  2H092NA25 ,  2H092NA26 ,  2H092NA29 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092PA13 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA31 ,  5C094BA43 ,  5C094DA15 ,  5C094EB05 ,  5C094ED15 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN53 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19