特許
J-GLOBAL ID：200903091904095797
フラッシュ型E2 PROM
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-263017
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084386
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 同一アドレスに同一データが書き込まれる確率を低くしてトンネル酸化膜の膜質劣化を抑え、さらに、特定のブロック(領域)のみデータ書換えの多い用途において、見掛け上、書換え可能回数の向上を可能としたE2 PROMを提供する。【構成】 一括消去後データの書換えを行う場合、一括消去の度に、実アドレスの最上位ビットAn として、セルMA のデータ内容に基づくトランスファスイッチ6,7の切換え制御によって外部からの指定アドレスの最上位ビットAn をそのまま、又はこれを反転してプリデコーダ8に供給し、消去前と異なるパターン上のデータ格納アドレスを指定する。
請求項（抜粋）：
一括消去の度に、外部からの指定アドレスをシフトして実指定アドレスとしてプリデコーダに供給するアドレス変換回路を備えたことを特徴とするフラッシュ型E2 PROM。
FI (2件)：
G11C 17/00 309 C
, G11C 17/00 309 A
