特許
J-GLOBAL ID：200903091904198197
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175667
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021614
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】本発明は、絶縁膜103の開孔部を介して、半導体基板101と配線層を接触させる半導体の製造方法において、半導体基板101上に形成された絶縁膜103の開孔部分にアモルファスシリコン膜106を形成し、その後、熱処理を加えて自然酸化膜102をアモルファスシリコン膜106中に還元させ、自然酸化膜102を除去するものである。【効果】本発明により、自然酸化膜は除去されることになる。これより、各素子の接触抵抗値を一定値以内に納めることにより半導体装置の性能を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜の開孔部を介して、半導体基板と配線層を接触させる半導体の製造方法において、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をパタ-ニングし、開孔部を形成する工程と、前記開孔部内にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜に熱処理を施し、多結晶シリコンに再結晶化する工程と、前記多結晶シリコンをCDE法を用いてエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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