特許

J-GLOBAL ID：200903091904740820

液晶表示装置及びその製造方法

発明者： 飯田 正幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317345
公開番号（公開出願番号）：特開2001-133810
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、画素開口部を通過する入射光が遮光部から画素開口部に張り出しているSiNX 膜によって屈折され、画素トランジスタのシリコン活性領域に入射することに起因して、画質の劣化や輝度の低下が生じることを防止することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン活性領域16a上にゲート絶縁膜としての第2の絶縁膜20を介してゲート線22aが設けられているTFT型の画素トランジスタ24の上方に、シリコン活性領域16aへの水素供給膜として機能したPSG膜32を介して、水素の外方拡散防止用のキャップ膜として機能させたSiNX 膜34aが形成されている。そして、このSiNX 膜34aの上面がTi金属遮光膜36aによって完全に被覆され、Ti金属遮光膜36aが形成されている遮光部から画素開口部にSiNX 膜34aが張り出さないようになっている。

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成され、半導体活性領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを含む基体全面を被覆している絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタの上方を被覆する形状の窒化膜と、前記窒化膜の上面を完全に被覆して形成されている遮光膜と、前記遮光膜を含む基体全面を被覆している平坦化絶縁膜と、前記平坦化絶縁膜上に形成されている画素電極と、前記透明絶縁基板に対向している対向基板と、前記対向基板上に形成されている対向電極と、前記透明絶縁基板上の前記平坦化絶縁膜及び前記画素電極と前記対向基板上の前記対向電極との間に挟持されている液晶層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/1368 ,  G02F 1/1341

FI (2件)：

G02F 1/1341 ,  G02F 1/136 500

Fターム (26件)：

2H089NA24 ,  2H089QA05 ,  2H089QA16 ,  2H089TA01 ,  2H089TA05 ,  2H089TA09 ,  2H089UA05 ,  2H092GA29 ,  2H092HA28 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092JB51 ,  2H092JB58 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA12 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092NA01 ,  2H092NA19 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092RA05