特許
J-GLOBAL ID：200903091905757130
プラズマ処理方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300525
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288191
出願日： 1983年10月19日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】成膜速度と膜質やエッチングレート、選択比とエッチング精度など相反するプラズマ処理特性を共に向上させるプラズマ処理方法およびその装置を供給する。【構成】プラズマ処理室50内に処理用ガスを導入するガス導入手段54と、マイクロ波電源部44と磁場発生部49,51とを有しマイクロ波電源部から磁場発生部により磁界を形成したプラズマ処理装置内にマイクロ波電力を供給することによりプラズマ処理装置内に磁界とマイクロ波電力との相互作用によりプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、マイクロ波電源部と接続してマイクロ波電力を時間的に変調させる変調部45を有しプラズマ中のイオンエネルギー分布又は電子温度分布を制御するプラズマ制御手段とを備える構成にした。【効果】プラズマ処理の性能、すなわち、エッチング処理におけるエッチングレート、選択比、エッチング精度、成膜における成膜速度、膜質を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
被処理物を収納したプラズマ処理室内に処理用ガスを導入しマイクロ波電力を印加して放電プラズマを発生させ、かつ前記マイクロ波電力を時間的に変調させてイオンエネルギー分布又は電子温度分布を制御することにより前記被処理物をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
H05H 1/46
, C23C 14/12
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
