特許

J-GLOBAL ID：200903091908331266

垂直共振器型面発光半導体レーザの製造方法

発明者： 高橋 孝志 ,  伊藤 彰浩 ,  軸谷 直人 ,  佐藤 俊一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087700
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289968
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 環境温度の変化に対して閾値電流の変化を低減することが可能な垂直共振器型面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 NとAsを含むIII-V族混晶半導体からなる活性層を含む共振器と、共振器の上下に設けられている多層膜反射鏡とを有する垂直共振器型面発光半導体レーザの製造方法において、λcを共振器の共振波長とし、λaを活性層の利得ピーク波長とし、Δλhを熱処理または通電による利得ピーク波長λaのシフト量とし、ΔλTを環境温度の上昇による利得ピーク波長λaのシフト量とするとき、成長直後の活性層における室温の利得ピーク波長λa(0)を、λa(0)=λc+Δλh-ΔλTを満たすように初期設定する。

請求項（抜粋）：

NとAsを含むIII-V族混晶半導体からなる活性層を含む共振器と、共振器の上下に設けられている多層膜反射鏡とを有する垂直共振器型面発光半導体レーザの製造方法において、λcを共振器の共振波長とし、λaを活性層の利得ピーク波長とし、Δλhを熱処理または通電による利得ピーク波長λaのシフト量とし、ΔλTを環境温度の上昇による利得ピーク波長λaのシフト量とするとき、成長直後の活性層における室温の利得ピーク波長λa(0)を、λa(0)=λc+Δλh-ΔλTを満たすように初期設定することを特徴とする垂直共振器型面発光半導体レーザの製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/183 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01S 5/183 ,  H01S 5/323

Fターム (11件)：

5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073EA02 ,  5F073EA23 ,  5F073HA08