半導体レーザ素子及びこれを用いた光モジュール、及び光システム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-368182
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168845
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高速動作が可能で且つ安価な面発光レーザ素子及び該素子を搭載した光モジュールを提供する。【解決手段】半導体基板上に、光を発生する活性層と該活性層の上下を挟み共振器を形成する上部、下部の多層膜反射鏡層を有する面発光レーザにおいて、上部多層膜反射鏡層内、あるいは下部多層膜反射鏡層内、またはその両方に未酸化領域からなる開口部を有する複数の選択酸化層を設け、該開口部を活性層から遠くなるに連れて段階的に広くし、大幅な素子容量の低減を図る。高性能で、長寿命、かつ、低コストな高速光モジュールを提供できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上部に、活性層領域と、この活性層領域をその主面に平行な面で上下に挟み光共振器を形成する第1及び第2の分布反射鏡と、前記第1及び第2の分布反射鏡の少なくとも一方の分布反射鏡の上部に第1の電極と、前記第1の電極と前記共振器を挟んで反対側に第2の電極とを有し、前記第1及び第2の分布反射鏡の少なくとも一方の分布反射鏡の内部において、前記活性層領域の主面に平行で且つ前記活性層領域に近い面に、その周辺部に絶縁領域を有する第1の層状領域と、前記活性層領域から見て前記第1の層状領域より遠い面に、その周辺部に絶縁領域を有する第2の層状領域の複数層とを有し、前記複数層の第2の層状領域が有する周辺部の絶縁領域の幅が、前記第1の層状領域が有する周辺部の絶縁領域の幅より小さいことを特徴とする面発光レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 5/183 , G02B 6/42 , H01S 5/022

FI (3件)：

H01S 5/183 , G02B 6/42 , H01S 5/022

Fターム (22件)：

2H037AA01 , 2H037BA02 , 2H037BA11 , 2H037DA03 , 2H037DA04 , 2H037DA06 , 5F073AA07 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073AB21 , 5F073AB28 , 5F073BA02 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA23 , 5F073DA27 , 5F073EA14 , 5F073EA28 , 5F073FA21 , 5F073GA38

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