特許

J-GLOBAL ID：200903091913068107

コバルト含有材料を形成するプロセス

発明者： ガングリ, セシャドゥリ ,  チュー, シューベルト エス. ,  チャン, メイ ,  ユー, サンホ ,  モライス, ケヴィン ,  パン, シーイング
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  池田 成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-505599
公開番号（公開出願番号）：特表2009-533877
出願日： 2007年04月11日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

ここで記述の本発明の実施形態は、一般的に、コバルトシリサイド層、金属コバルト層、他のコバルト含有材料を形成する方法および装置を提供する。一実施形態では、基板上にコバルトシリサイド含有材料を形成する方法を提供し、この方法では、シリコン含有面をさらすために、基板に少なくとも1つの前洗浄プロセスを施し、シリコン含面上にコバルトシリサイド材料を堆積し、コバルトシリサイド材料上に金属コバルト材料を堆積し、基板上に金属接触材料を堆積する。別の実施形態では、方法は、シリコン含有面をさらすために基板を少なくとも1つの前洗浄プロセスにさらし、シリコン含有面上にコバルトシリサイド材料を堆積し、基板にアニールプロセスを施し、コバルトシリサイド材料上にバリア材料を堆積し、バリア材料上に金属接触材料を堆積する。【選択図】 図10

請求項（抜粋）：

基板上にコバルトシリサイドを含有した材料を形成する方法であって、 シリコン含有表面をさらすために基板を少なくとも1つの前洗浄プロセスにさらすステップと、 前記シリコン含有方面上にコバルトシリサイド材料を堆積するステップと、 前記コバルトシリサイド材料上に金属コバルト材料を堆積するステップと、 前記基板上に金属接触材料を堆積するステップと、 を備える方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  C22F 1/10 ,  C23C 28/00 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/285

FI (5件)：

H01L21/28 301S ,  C22F1/10 J ,  C23C28/00 B ,  H01L21/302 102 ,  H01L21/285 C

Fターム (59件)：

4K044AA11 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA10 ,  4K044BA14 ,  4K044BA18 ,  4K044BA19 ,  4K044BB04 ,  4K044BC05 ,  4K044CA02 ,  4K044CA07 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA15 ,  4K044CA62 ,  4K044CA71 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F004AA14 ,  5F004BB11 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004EB02