特許

J-GLOBAL ID：200903091924823071

半導体装置

発明者： 安藤 裕二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323502
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211341
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】 リソグラフィ技術の精度に依らず、電子をその波長程度の断面積を有する細線に閉じ込めることが可能な1次元電子ガスをキャリアとする半導体装置を提供とする。【構成】 ノンドープAlGaAsポテンシャルバリア層3、ノンドープGaAs量子井戸層4、電子がトンネル効果によって通過できるノンドープAlGaAsポテンシャルバリア層5、n形GaAsキャップ層6の積層構造を有する半導体層構造上に、ショットキーゲート電極9を挟んで、ソース電極7Sとドレイン電極7Dを有しショットキーゲート電極9を挟んでソース・ドレイン方向とは直交する方向にショットキー電極8A,8Bを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1の半導体層、該第1の半導体層より電子親和度が大きく電子の共鳴準位が形成される第2の半導体層、該第2の半導体層より電子親和度が小さく電子がトンネル効果で通過できる厚さを有する第3の半導体層、該第3の半導体層より電子親和度が大きくn形不純物がドープされた第4の半導体層が順次積層された半導体層構造上に、第1のショットキー電極を挟んでソース電極とドレイン電極が形成され、前記ソース電極から前記ドレイン電極に向かう方向とは垂直な方向に、前記第1のショットキー電極を挟んで第2、第3のショットキー電極が対向して形成されていることを特徴とする半導体装置。