窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034089
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324914
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 MOVPE、MBE法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にn型窒化物半導体を成長させる際に、n型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、n型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。【解決手段】 In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a≦1)、もしくはAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b≦1)、または組成の異なるAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b≦1)の薄膜を積層した多層膜の内のいずれか一種類を含む第2のn型窒化ガリウム系化合物半導体層33を、第1のn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、第3のn型窒化ガリウム系化合物半導体層とで挟んだ構造を有するn型窒化ガリウム系化合物半導体を、基板1と活性層5との間に有するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a≦1)、もしくはAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b≦1)、または組成の異なるAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b≦1)の薄膜を積層した多層膜の内のいずれか一種類を含む第2のn型窒化ガリウム系化合物半導体層を、第1のn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、第3のn型窒化ガリウム系化合物半導体層とで挟んだ構造を有するn型窒化ガリウム系化合物半導体を、基板と活性層との間に有するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

Fターム (20件)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F073AA55 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB09

引用特許：

審査官引用 (1件)

特許第3548442号

前のページに戻る