特許
J-GLOBAL ID：200903091938314072
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160807
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354796
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極との間における電子の移動度を向上させる。【解決手段】 薄膜トランジスタのチャネル部11に溝部Mを有する。チャネル部11は、ソース電極6とドレイン電極7との間に形成され、電子が流れるようになっており、溝部Mは、ソース電極6とドレイン電極7との間に流れる電子流の方向に沿って連続して形成され、該電子流から横方向に逸れる二次元の電子散乱を規制し、ソース電極とドレイン電極との間での電子の移動度を向上させるようになっている。
請求項（抜粋）：
チャネル部に溝部を有する薄膜トランジスタであって、前記チャネル部は、ソース電極とドレイン電極との間に形成され、電子が流れるものであり、前記溝部は、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電子流の方向に沿って連続して形成され、該電子流から横方向に逸れる二次元の電子散乱を規制し、ソース電極とドレイン電極との間での電子の移動度を向上させるものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
