特許

J-GLOBAL ID：200903091939750500

半導体装置とその製造方法

発明者： 齋藤 徹 ,  菅原 岳 ,  久保 実 ,  能澤 克弥
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-118597
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312686
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 結晶性の良好なSiGeC層を用いて、熱的安定性,耐電圧性の高いSiC系半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ヘテロバイポーラトランジスタは、6H-SiC基板201上に設けられたSiCサブコレクタ層207と、SiCサブコレクタ層207上に設けられたSiCコレクタ層204と、SiCコレクタ層204上に設けられたSiGeCベース層203と、SiGeCベース層203上に設けられたSiCエミッタ層202と、各層を分離するための絶縁膜206と、電極205a,205b,205cとを備えている。6H-SiC基板201内にGeをイオン注入して形成されたSiGeCベース層203は、結晶性が良好である。SiCエミッタ層202とSiGeCベース層203との間のヘテロ接合を利用して熱的安定性,耐電圧性の高いヘテロバイポーラトランジスタが得られる。

請求項（抜粋）：

SiC-SiGeCへテロ接合部を有する半導体装置の製造方法であって、化学的量論比1:1の組成を有するSiC層を準備する工程と、上記SiC層に、Geを導入することによりSiGeC層を形成する工程とを備えている半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-102311
  
• シリコン膜の成長方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-029614   出願人：日本電気株式会社
• 歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-158463   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-106980