特許
J-GLOBAL ID:200903091941345345

高周波用半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-043070
公開番号(公開出願番号):特開2000-244209
出願日: 1999年02月22日
公開日(公表日): 2000年09月08日
要約:
【要約】【課題】 モノリシックマイクロ波集積回路のチップ面積を縮小できる高周波用半導体装置を提供する。【解決手段】 コプレーナ線路を有するモノリシックマイクロ波集積回路が形成された高周波用半導体装置において、所定の間隔をあけて平行に設けられ、一端が互いに接続された2本の信号線路136,137と、その2本の信号線路136,137の外側を囲むように所定の間隔をあけて設けられた接地導体100とで折り返し形コプレーナ線路125を構成する。この折り返し形コプレーナ線路125は、直線状の1本の信号線路を有するコプレーナ線路の特性インピーダンスをほぼ等しくできると共に、信号線路の片側の接地導体を省くので、信号線路を高密度に集積化できる。
請求項(抜粋):
コプレーナ線路を有するモノリシックマイクロ波集積回路が形成された高周波用半導体装置において、所定の間隔をあけて略平行に設けられ、一端が互いに接続された2本の信号線路と、その2本の信号線路の外側を囲むように所定の間隔をあけて設けられた接地導体とで構成された折り返し形コプレーナ線路を有することを特徴とする高周波用半導体装置。
IPC (2件):
H01P 3/02 ,  H01P 5/08
FI (2件):
H01P 3/02 ,  H01P 5/08 L
引用特許:
審査官引用 (3件)

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