特許

J-GLOBAL ID：200903091943712957

低誘電率基板の製法

発明者： デビッド、ローレンス、ダニエル ,  ニッカボッカー、サラー、ハッフスミス
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-055593
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026163
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：

【要約】【課題】 良好な電気的、機械的特性を有するホウケイ酸ガラス含有セラミック材料の製法を提供する。【解決手段】 ゾル・ゲル法でホウケイ酸ガラスを均一にコーティングしセラミック粒子を用いて、セラミック基板を形成する。得られるセラミック基板は、約4以下の低誘電率を有し、高い機械的強度を有する。

請求項（抜粋）：

(a)ゾル・ゲル法により、セラミック粒子を、10〜30重量パーセントのB2O3と、20重量%以下の、MgO、CaO、またはAl2O3など他の添加物と、残りのSiO2とよりなり、結果として得られる基板の誘電率が約4以下になるように前記セラミック粒子と関連して選択されたホウケイ酸ガラスでコーティングする工程と、(b)上記のコーティングした粒子を基板に成形する工程と、(c)上記基板を焼結する工程とを含む、低誘電率基板の製法。

IPC (4件)：

C04B 35/495 ,  C04B 35/628 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 630

FI (4件)：

C04B 35/00 J ,  H05K 1/03 630 D ,  C04B 35/00 B ,  H01L 23/14 C