特許

J-GLOBAL ID：200903091948571332

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 池田 直史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148443
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326963
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 パンチスルーの発生を防止できる構造の半導体装置、また、完全平坦化を達成できる構造の半導体装置、及びその製造方法を提供すること。【構成】 ?@素子分離絶縁部2内の半導体部分10に拡散領域14A,14Bを形成し、ゲート電極8を半導体部分の下部に埋め込み、半導体部分10のゲート電極8と反対側部分にパンチスルー防止用不純物導入領域5を形成?A素子分離絶縁部2上に該絶縁部に囲まれた構成のSOIシリコン半導体部分10に拡散領域を形成し、ゲート電極8を該半導体部分の下部に埋め込む?Bシリコン基板1上にゲート電極8となる部分を形成し、絶縁部2を形成し、該シリコン基板と別の基板4をはり合わせ、研磨によりシリコン半導体部分10を形成して、この部分10のゲート電極と反対側の部分にパンチスルー防止用不純物導入領域5を形成。

請求項（抜粋）：

素子分離絶縁部内に位置する半導体部分に拡散領域を形成し、ゲート電極を該半導体部分の下部に埋め込む構成で形成し、前記半導体部分のゲート電極と反対側の部分にパンチスルー防止用不純物導入領域を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y