特許

J-GLOBAL ID：200903091949747876

回路シミュレーション

発明者： ミルソン ロバート フレデリック
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-529358
公開番号（公開出願番号）：特表2000-511709
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
要約：

【要約】薄膜受動回路構成要素のIC(集積回路)の電磁気的挙動をシミュレートするシミュレータおよびその動作は、簡単な等価モデルを使用し、コンピュータ処理時間を最小限にすると同時に、受動集積ICにおいて生じる、エネルギー損失と、異なった膜厚、導電率および誘電特性とにも係わらず、良好なモデル精度を保持する。この手順は、前記ICの導体パターン(1,2)の表面の幾何学的モデルを形成するステップと、前記幾何学的モデルにおける幾何学的要素の部分集合である主幾何学的要素に各々が中心を置いた位置間の電場結合および磁場結合に関する値でマクスウェル方程式の行列表現を形成するステップと、前記方程式の行列係数の値を、前記主幾何学的要素と1対1の対応を有する主ノード(I,II;●)を経て相互接続されたサブ回路による前記パターンに対する等価回路モデルのアドミッタンス行列表現の係数に関連付けるステップとを含む。前記受動集積ICに対する等価回路モデルのこれらの主ノード(I,II;●)間のサブ回路は、電場の寄与をモデル化するキャパシタ(Chc)を含む第1ブランチと、磁場の寄与を共にモデル化するキャパシタ(Chl)と直列のインダクタ(Lhl)を含む第2ブランチと、前記電場および磁場のエネルギー損失への寄与をモデル化する少なくとも1つの抵抗(Rhgl、または、RhgおよびRhl)を含む少なくとも1つの他のブランチとの並列ブランチの組を具え、前記エネルギー損失が前記ICの誘電性材料(3,10,11)および導電性材料(1,2)において生じる。

請求項（抜粋）：

導電体パターンの電磁気的挙動を、 -前記パターンの表面の幾何学的モデルを形成するステップと、 -前記幾何学的モデルにおける幾何学的要素の部分集合である主幾何学的要 素に各々が中心を置いた位置間の電場結合および磁場結合に関する値でマクス ウェル方程式の行列表現を形成するステップと、 -前記方程式の行列係数の値を、前記主幾何学的要素と1対1の対応を有す る主ノードを経て相互接続されたサブ回路による前記パターンに対する等価回 路モデルのアドミッタンス行列表現の係数に関連付けるステップとを含むプロ セスによってシミュレートするシミュレータにおいて、 前記パターンが薄膜受動回路構成要素の集積回路の一部を形成し、前記集積 回路の等価回路モデルの各サブ回路が、 -電場の寄与をモデル化するキャパシタを含む第1ブランチと、 -磁場の寄与を共にモデル化するキャパシタと直列のインダクタを含む第2 ブランチと、 -前記電場および磁場のエネルギー損失への寄与をモデル化する少なくとも 1つの抵抗を含む少なくとも1つの他のブランチとの並列ブランチの組を具え 、前記エネルギー損失が前記集積回路の誘電性材料および導電性材料において 生じることを特徴とするシミュレータ。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  G06F 17/50

FI (3件)：

H01L 21/82 L ,  G06F 15/60 662 G ,  G06F 15/60 666 L